세미묵_ald로 HfOx박막 증착하기

ald는 cvd와 비슷하게 고온 저압의 형태로,  
원자층 두께로 박막을 매우 얇고 균일하게 증착함
차이점은 cvd는 반응가스를 동시에 공급vs ald는 펄스형태로 공급이 차이점
->하나의 공정사이클=하나의 원자층 (시간오래걸림)

 

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1. 장비의 구성

-반응가스의 소스역할하는 전구체 ex. 하프늄 소스
(ald진행에 필요한 precursor를 보관하는 canister)

-웨이퍼를 로드하게 되는 로드락챔버 & 공정이 진행되는 process챔버

(컨트롤 화면)

 

: Ar가스의 사용_ 불활성 가스를 사용 ex.ar gas 하여 반응가스를 이동시키는 데에 사용한다(?),
라인을 purge(라인을 클리닝)해주는 데에 사용된다.

: 로드락 챔버에 로딩된 웨이퍼 -> process 챔버로 이동하는 과정 

(vent이후 로드락 챔버에 웨이퍼가 로딩되고, 로드락 내부 진공을 뽑고나서 게이트가 열려 웨이퍼를

로드락 암으로 공정이 진행되는 process 챔버 내로 이동이 된다.)

 

 

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2. 하프늄 옥사이드 박막을 쌓는 ald 과정 진행

1. 하프늄 옥사이드를 쌓는 recipe 를 확인
(5가지 단계)

2. 웨이퍼를 로드락 챔버에 집어넣는 wafer loading과정

3. 공정 레시피를 start시킨다.
full automation run!

-로드락에서 어느정도의
진공도가 확보 될때까지 진공pumping을 진행한다.
-로드락챔버와 process챔버 사이의 게이트 밸브가 열린다.
웨이퍼를 로드암으로 이동시킨다.
-ald공정에 의해서 박막을 증착하는 단계거침

 

: 그러므로 게이트나 capacitor와 같이 critical한 공정에 주로 사용되고 있다. (특성이 주요한 소자에 사용됨)