세미묵_반도체 나노소자 공정실습_반도체 공정

<LPCVD를 이용한 Oxidation>

 

-장점: 증착되는 박막의 밀도가 높고, 두께 균일도(uniformity)가 우수함 

-> 구조: 가스 공급하는 배관들 존재./ furnace위아래 2개로 구성되어 있음

 

1. 장비의 silicon oxide 증착 recipe 선택

 

2. 증착할 웨이퍼를 장비 안에 loading

 

3. 장비 tube내 오염된 공기를 배출 위한 진공 pumping (튜브내 진공환경 만듦) 

 

4. silicon oxide 증착 공정 start

: 가스 밸브 열려

: sih4를 공급하는 nfc라인

: purge는 이전 반응때문에 장비 내에 여전히 남아있는 가스를 장비 밖으로 펌핑해내는 작업

:온도 400도씨에 도달하도록 함

:CVD반응 진행된다. o2+sih4->sio2

 

5. 장비의 vent를 통해 장비내의 고압과 대기압사이를 맞춘다(?)

 

6. wafer unloading

 

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